Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM250NB06DCR RLG

Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
7 A
Рассеиваемая мощность
9.6 W
Корпус
PDFN56
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM250NB06DCR RLG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current7 A
Рассеиваемая мощность9.6 W
КорпусPDFN56
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance25 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7A; 9.6W; PDFN56

Документация

Документы пока не предоставлены.