Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM250N02CX RFG

TSM250N02CX RFG
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
3.7 A
Рассеиваемая мощность
1.56 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM250N02CX RFG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current3.7 A
Рассеиваемая мощность1.56 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance25 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.7nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 1.56W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.