TAIWAN SEMICONDUCTOR
Транзистор TSM2318CX RFG
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 40 V
- Drain current
- 3.9 A
- Power dissipation
- 1.25 W
- Корпус
- SOT23
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 29 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%197,55 ₽
Сумма · с НДС 22%197,55 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 197,55 ₽ | |
| от 10 | 123,85 ₽ | |
| от 100 | 81,11 ₽ | |
| от 500 | 62,49 ₽ | |
| от 1000 | 58,69 ₽ | |
| от 3000 | 55,85 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | TSM2318CX RFG |
|---|---|
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 40 V |
| Drain current | 3.9 A |
| Power dissipation | 1.25 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 45 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 10nC |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.9A; 1.25W; SOT23
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.