TAIWAN SEMICONDUCTOR
Транзистор TSM2314CX RFG
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 4.9 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.8 W
- Корпус
- SOT23
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 360 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%167,06 ₽
Сумма · с НДС 22%167,06 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 167,06 ₽ | |
| от 10 | 114,07 ₽ | |
| от 50 | 80,66 ₽ | |
| от 100 | 70,06 ₽ | |
| от 500 | 52,63 ₽ | |
| от 1500 | 49,40 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | TSM2314CX RFG |
|---|---|
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 4.9 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.8 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 33 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 14nC |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.