TAIWAN SEMICONDUCTOR
Транзистор TSM2309CX RFG
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -2 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.56 W
- Корпус
- SOT23
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 36 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%123,95 ₽
Сумма · с НДС 22%123,95 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 123,95 ₽ | |
| от 10 | 61,24 ₽ | |
| от 100 | 47,57 ₽ | |
| от 500 | 39,01 ₽ | |
| от 1000 | 35,54 ₽ | |
| от 3000 | 30,26 ₽ | |
| от 9000 | 28,62 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | TSM2309CX RFG |
|---|---|
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -2 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.56 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.24 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 8.2nC |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 1.56W; SOT23
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.