Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM2301ACX RFG

TSM2301ACX RFG
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-1.6A
Power dissipation
0.45W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTSM2301ACX RFG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-1.6A
Power dissipation0.45W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12V
On-state resistance0.13Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.2nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 450mW; SOT23

Документация

Документ производителя