Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM1N80CW RPG

TSM1N80CW RPG
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
800 V
Drain current
0.3 A
Power dissipation
2.1 W
Корпус
SOT223
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%74,46 ₽

Сумма · с НДС 22%186 150,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 250074,46 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяTSM1N80CW RPG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage800 V
Drain current0.3 A
Power dissipation2.1 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance21.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 800V; 300mA; 2.1W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.