Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM180P03CS RLG

TSM180P03CS RLG
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-6.3 A
Power dissipation
2.5 W
Корпус
SOP8

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяTSM180P03CS RLG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-6.3 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14.6nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.3A; 2.5W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.