Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM170N06CH X0G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
24 A
Power dissipation
46 W
Корпус
IPAK SL
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM170N06CH X0G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current24 A
Power dissipation46 W
КорпусIPAK SL
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance17 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge15nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 46W; IPAK SL

Документация

Документы пока не предоставлены.