TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM150P03PQ33 RGG

ТранзисторИзображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -36 A
Рассеиваемая мощность: 27.8 W
Gate-source voltage: ±20 V
On-state resistance: 15 mΩ

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	TSM150P03PQ33 RGG
Производитель	TAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-36 A
Рассеиваемая мощность	27.8 W
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	15 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -30V; -36A; 27.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.