Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM120N06LCS RLG

TSM120N06LCS RLG
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
10 A
Рассеиваемая мощность
2.5 W
Корпус
SOP8

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяTSM120N06LCS RLG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current10 A
Рассеиваемая мощность2.5 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.