TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM110NB04LCR RLG

PDFN56Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 12 A
Рассеиваемая мощность: 23 W
Корпус: PDFN56

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	TSM110NB04LCR RLG
Производитель	TAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	12 A
Рассеиваемая мощность	23 W
Корпус	PDFN56
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	11 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	23nC
Kind of package	tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; 23W; PDFN56

Документация

Документы пока не предоставлены.