Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM10N80CZ C0G

TSM10N80CZ C0G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5.7 A
Рассеиваемая мощность
290 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM10N80CZ C0G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current5.7 A
Рассеиваемая мощность290 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.05 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge53nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 290W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.