Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM100N06CZ C0G

TSM100N06CZ C0G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
80 A
Power dissipation
107 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM100N06CZ C0G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current80 A
Power dissipation107 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge81nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3

Документация

Документ производителя