Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM085NB03CV RGG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
1 A
Power dissipation
52 W
Корпус
PDFN33
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM085NB03CV RGG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current1 A
Power dissipation52 W
КорпусPDFN33
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; 52W; PDFN33

Документация

Документы пока не предоставлены.