Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM060NB06LCZ C0G

TSM060NB06LCZ C0G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
111 A
Рассеиваемая мощность
156 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM060NB06LCZ C0G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current111 A
Рассеиваемая мощность156 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge107nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 111A; 156W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.