TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM045NB06CR RLG

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Корпус: PDFN56U

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	TSM045NB06CR RLG
Производитель	TAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60V
Drain current	16A
Power dissipation	45W
Корпус	PDFN56U
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	5mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	104nC
Kind of package	tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 45W; PDFN56U

Документация

Документы пока не предоставлены.