Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSG65N190CR RVG

Type of transistor
N-JFET
Технология
GaN
Polarisation
unipolar
Kind of transistor
HEMT
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSG65N190CR RVG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-JFET
ТехнологияGaN
Polarisationunipolar
Kind of transistorHEMT
Drain-source voltage650 V
Drain current11 A
Pulsed drain current19 A
КорпусPDFN56
Gate-source voltage-10...7 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.2nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56

Документация

Документы пока не предоставлены.