TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TQM250NB06DCR RLG

PDFN56UИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 30 A
Рассеиваемая мощность: 58 W
Корпус: PDFN56U

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	TQM250NB06DCR RLG
Производитель	TAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	30 A
Рассеиваемая мощность	58 W
Корпус	PDFN56U
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	25 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	24nC
Kind of package	tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 30A; 58W; PDFN56U

Документация

Документы пока не предоставлены.