TAIWAN SEMICONDUCTOR
Транзистор TQM170NH10LCR RLG
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 100 V
- Рассеиваемая мощность
- 97 W
- Gate-source voltage
- ±20 V
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Gate charge
- 17nC
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 500 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%126,87 ₽
Сумма · с НДС 22%317 175,00 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 2500 | 126,87 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | TQM170NH10LCR RLG |
|---|---|
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Рассеиваемая мощность | 97 W |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 17nC |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 100V; 97W; automotive industry
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.