TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TQM150NB04DCR RLG

PDFN56UИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 9 A
Рассеиваемая мощность: 16 W
Корпус: PDFN56U

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	TQM150NB04DCR RLG
Производитель	TAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	9 A
Рассеиваемая мощность	16 W
Корпус	PDFN56U
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	25.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	18nC
Kind of package	tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9A; 16W; PDFN56U

Документация

Документы пока не предоставлены.