Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TQM110NB04DCR RLG

Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
40 A
Рассеиваемая мощность
58 W
Корпус
PDFN56U
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTQM110NB04DCR RLG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current40 A
Рассеиваемая мощность58 W
КорпусPDFN56U
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 40A; 58W; PDFN56U

Документация

Документы пока не предоставлены.