Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TQM050NB06CR RLG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
104 A
Power dissipation
136 W
Корпус
PDFN56U
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTQM050NB06CR RLG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current104 A
Power dissipation136 W
КорпусPDFN56U
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge114nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 104A; 136W; PDFN56U

Документация

Документы пока не предоставлены.