TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TQM043NH04CR RLG

PDFN56UИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 54 A
Рассеиваемая мощность: 100 W
Корпус: PDFN56U

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	TQM043NH04CR RLG
Производитель	TAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	54 A
Рассеиваемая мощность	100 W
Корпус	PDFN56U
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	4.3 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	37nC
Kind of package	tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 54A; 100W; PDFN56U

Документация

Документы пока не предоставлены.