TOSHIBA
Транзистор TPW4R50ANH,L1Q(M
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 92 A
- Рассеиваемая мощность
- 142 W
- On-state resistance
- 3.7 mΩ
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | TPW4R50ANH,L1Q(M |
|---|---|
| Производитель | TOSHIBA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 92 A |
| Рассеиваемая мощность | 142 W |
| On-state resistance | 3.7 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 92A; 142W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.