Антава

TOSHIBA

Транзистор TPN1600ANH,L1Q(M

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
36 A
Pulsed drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTPN1600ANH,L1Q(M
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current36 A
Pulsed drain current80 A
Рассеиваемая мощность42 W
КорпусTSON8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance16 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 80A; 42W; TSON8

Документация

Документ производителя