Антава

TOSHIBA

Транзистор TPN13008NH,L1Q(M

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
40 A
Pulsed drain current
98 A
Рассеиваемая мощность
42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTPN13008NH,L1Q(M
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current40 A
Pulsed drain current98 A
Рассеиваемая мощность42 W
КорпусTSON8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 98A; 42W; TSON8

Документация

Документ производителя