Антава

TOSHIBA

Транзистор TPH1R306PL,L1Q(M

TPH1R306PL,L1Q(M
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
170 W
Корпус
SOP8 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTPH1R306PL,L1Q(M
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность170 W
КорпусSOP8 A
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge91nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 170W; SOP8A

Документация

Документ производителя