Антава

MICROCHIP

Транзистор TP2535N3-G

TP2535N3-G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-350 V
Drain current
-86 mA
Pulsed drain current
-0.6 A
Power dissipation
0.74 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTP2535N3-G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-350 V
Drain current-86 mA
Pulsed drain current-0.6 A
Power dissipation0.74 W
КорпусTO92
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance25 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagebulk
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package1000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -86mA; Idm: -0.6A; 740mW

Документация

Документы пока не предоставлены.