MICROCHIP
Транзистор TP2520N8-G
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -200 V
- Drain current
- -0.26 A
- Pulsed drain current
- -2 A
- Power dissipation
- 1.6 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | TP2520N8-G |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -200 V |
| Drain current | -0.26 A |
| Pulsed drain current | -2 A |
| Power dissipation | 1.6 W |
| Корпус | SOT89-3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 12 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Manufacturer standard package | 2000pcs. |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -260mA; Idm: -2A; 1.6W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.