Антава

MICROCHIP

Транзистор TP2510N8-G

TP2510N8-G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-0.48 A
Pulsed drain current
-2.5 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTP2510N8-G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-0.48 A
Pulsed drain current-2.5 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSOT89-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package2000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W

Документация

Документ производителя