MICROCHIP
Транзистор TP2510N8-G
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -100 V
- Drain current
- -0.48 A
- Pulsed drain current
- -2.5 A
- Power dissipation
- 1.6 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 904 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%283,19 ₽
Сумма · с НДС 22%283,19 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 283,19 ₽ | |
| от 10 | 266,31 ₽ | |
| от 25 | 238,18 ₽ | |
| от 2000 | 213,80 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | TP2510N8-G |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -100 V |
| Drain current | -0.48 A |
| Pulsed drain current | -2.5 A |
| Power dissipation | 1.6 W |
| Корпус | SOT89-3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 3.5 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Manufacturer standard package | 2000pcs. |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.