Антава

MICROCHIP

Транзистор TN5335N8-G

TN5335N8-G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
350 V
Drain current
0.23 A
Pulsed drain current
1.3 A
Рассеиваемая мощность
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTN5335N8-G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage350 V
Drain current0.23 A
Pulsed drain current1.3 A
Рассеиваемая мощность1.6 W
КорпусSOT89-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package2000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 230mA; Idm: 1.3A; 1.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.