Антава

MICROCHIP

Транзистор TN5335K1-G

TN5335K1-G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
350 V
Drain current
0.11 A
Pulsed drain current
0.8 A
Power dissipation
0.36 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTN5335K1-G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage350 V
Drain current0.11 A
Pulsed drain current0.8 A
Power dissipation0.36 W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 110mA; Idm: 0.8A; 360mW

Документация

Документы пока не предоставлены.