Антава

MICROCHIP

Транзистор TN5325N8-G

TN5325N8-G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
316 mA
Pulsed drain current
1.5 A
Рассеиваемая мощность
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTN5325N8-G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current316 mA
Pulsed drain current1.5 A
Рассеиваемая мощность1.6 W
КорпусSOT89-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package2000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 316mA; Idm: 1.5A; 1.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.