Антава

MICROCHIP

Транзистор TN5325N3-G

TN5325N3-G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
0.215 A
Pulsed drain current
0.8 A
Рассеиваемая мощность
0.74 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTN5325N3-G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current0.215 A
Pulsed drain current0.8 A
Рассеиваемая мощность0.74 W
КорпусTO92
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagebulk
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package1000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 215mA; Idm: 0.8A; 740mW; TO92

Документация

Документы пока не предоставлены.