Антава

MICROCHIP

Транзистор TN2106N3-G

TN2106N3-G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.3 A
Pulsed drain current
1 A
Power dissipation
0.74 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTN2106N3-G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.3 A
Pulsed drain current1 A
Power dissipation0.74 W
КорпусTO92
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagebulk
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package1000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 740mW; TO92

Документация

Документы пока не предоставлены.