Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Диод TLD8S10AH

TLD8S10AH
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
6.6kW
Max. off-state voltage
10V
Breakdown voltage
11.1...12.3V
Max. forward impulse current
388A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTLD8S10AH
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation6.6kW
Max. off-state voltage10V
Breakdown voltage11.1...12.3V
Max. forward impulse current388A
Semiconductor structureunidirectional
Tolerance±5%
КорпусDO218AB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current15µA
Applicationautomotive industry
Kind of packagereel, tape
СерияTLD8S
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 6.6kW; 11.1÷12.3V; 388A; unidirectional; ±5%; DO218AB

Документация

Документы пока не предоставлены.