Антава

TOSHIBA

Транзистор TK9J90E,S1E(S

TK9J90E,S1E(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
9 A
Power dissipation
250 W
Корпус
TO3PN
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 158 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%832,28 ₽

Сумма · с НДС 22%832,28 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1832,28 ₽
от 5747,51 ₽
от 25662,74 ₽
от 100595,31 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяTK9J90E,S1E(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current9 A
Power dissipation250 W
КорпусTO3PN
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.3 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge46nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN

Документация

Документ производителя