Антава

TOSHIBA

Транзистор TK9A90E,S4X(S

TK9A90E,S4X(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
9 A
Pulsed drain current
27 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTK9A90E,S4X(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current9 A
Pulsed drain current27 A
Power dissipation50 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.3 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge46nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 27A; 50W; TO220FP

Документация

Документ производителя