Антава

TOSHIBA

Транзистор TK72E12N1,S1X(S

TK72E12N1,S1X(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120 V
Drain current
72 A
Power dissipation
255 W
Корпус
TO220AB

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяTK72E12N1,S1X(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120 V
Drain current72 A
Power dissipation255 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge130nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; 255W; TO220AB

Документация

Документ производителя