TOSHIBA

Транзистор TK6Q65W,S1Q(S

IPAKИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 5.8 A
Pulsed drain current: 23.2 A
Power dissipation: 60 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	TK6Q65W,S1Q(S
Производитель	TOSHIBA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	5.8 A
Pulsed drain current	23.2 A
Power dissipation	60 W
Корпус	IPAK
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	0.89 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	11nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 60W; IPAK

Документация

Документ производителя