Антава

TOSHIBA

Транзистор TK6P60W,RVQ(S

TK6P60W,RVQ(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
6.2 A
Pulsed drain current
24.8 A
Рассеиваемая мощность
60 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK6P60W,RVQ(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current6.2 A
Pulsed drain current24.8 A
Рассеиваемая мощность60 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.68 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 24.8A; 60W; DPAK

Документация

Документ производителя