Антава

TOSHIBA

Транзистор TK6A80E,S4X(S

TK6A80E,S4X(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
6A
Pulsed drain current
18A
Power dissipation
45W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTK6A80E,S4X(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current6A
Pulsed drain current18A
Power dissipation45W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.35Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge32nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP

Документация

Документ производителя