Антава

TOSHIBA

Транзистор TK6A60W,S4VX(M

TK6A60W,S4VX(M
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
6.2 A
Рассеиваемая мощность
30 W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK6A60W,S4VX(M
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current6.2 A
Рассеиваемая мощность30 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.68 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge12nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP

Документация

Документ производителя