Антава

TOSHIBA

Транзистор TK62N60X,S1F(S

TK62N60X,S1F(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
61.8 A
Pulsed drain current
247 A
Рассеиваемая мощность
400 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK62N60X,S1F(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current61.8 A
Pulsed drain current247 A
Рассеиваемая мощность400 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance33 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge135nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W

Документация

Документ производителя