Антава

TOSHIBA

Транзистор TK5R1P08QM,RQ(S2

TK5R1P08QM,RQ(S2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
105 A
Рассеиваемая мощность
104 W
Корпус
DPAK, TO252

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяTK5R1P08QM,RQ(S2
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current105 A
Рассеиваемая мощность104 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance4.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; 104W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.