Антава

TOSHIBA

Транзистор TK58E06N1,S1X

TK58E06N1,S1X
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
58 A
Рассеиваемая мощность
110 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK58E06N1,S1X
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current58 A
Рассеиваемая мощность110 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge46nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 58A; 110W; TO220AB

Документация

Документ производителя