Антава

TOSHIBA

Транзистор TK56E12N1,S1X(S

TK56E12N1,S1X(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120 V
Drain current
56 A
Power dissipation
168 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 101 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%438,78 ₽

Сумма · с НДС 22%438,78 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1438,78 ₽
от 3396,99 ₽
от 10349,51 ₽
от 50315,32 ₽
от 250292,52 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяTK56E12N1,S1X(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120 V
Drain current56 A
Power dissipation168 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge69nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 168W; TO220AB

Документация

Документ производителя