Антава

TOSHIBA

Транзистор TK40E10N1,S1X(S

TK40E10N1,S1X(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
40 A
Рассеиваемая мощность
126 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK40E10N1,S1X(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current40 A
Рассеиваемая мощность126 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge49nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 126W; TO220AB

Документация

Документ производителя